hp100LX改造例：メモリ容量を1MBから2MBへ増やす。RAM memory up from 1MB to 2MB.[LX-Restore Station]

hp100LX 改造例：メモリ容量を1MBから2MBへ増やす。
　hp100LX modify: RAM memory up from 1MB to 2MB.)

　
　メモリアップの改造実例です。

　この例は、100LXでの例ですが、前期型の200LXでも全く同様に作業可能です。

　ただし、容量は1MBから2MBという、大変控えめです。
　
　しかし、メモリ容量が倍増するわけですから、1MBで使用していた場合には、有効な改造と言えます。
　特に、必要もなくメモリーを増やすと、未使用時（電源OFF）時の、メモリ保持電流が増えて、意外に早く主電池が消耗してしまうことになります。

　このため、本当に必要なメモリ（C:ドライブ）は、できるだけ少なく（小さく）した方が、全体としては使いやすいこともあります。

　実は、メモリーを2MBから、4MB、6MB、8MBへと増やす改造をお受けして、取り外したメモリーが増えてしまったことが、このメモリアップ改造を始めた理由だったりします。

　この100LXの基板は、0.5MB（メガバイト）のメモリーが2個搭載されて、1MBを形成しています。

　

メモリーチップは、100LX/200LX 2MB前期型で使われる、メモリ拡張基板（ドーターボード）に使われるメモリーと全く同じものです。

　ちなみに、メーカーはサムスン製がほとんどで、たまにNEC製や、日立製が使われています。

　二つ上下に並んでいますが、一方は、反転型（表裏逆）になっており、番号にR（Reversだと思います。）などの記号が付いています。

　
　SPECは、規格表で確認することができます。
　
　ここでは、ピン配列を引用します。
（’96 THE RAM IC MANUAL　最新RAM規格表、CQ出版社）

　サムスン製：KM416V256BLLT-8、KM416V256BLLTR-8
　NEC製：D42S4260LG5-A80-7JF、D42S4260LG5-A80-7KF
　日立製：51W4260ALRR8、51W4260ALTT8

基本的には、同じメモリIC（チップ）を2段重ね（スタック、カメカメ）させて、足を接続します。

　ただし、RAS(Row Address Strobe　メモリの読み書きタイミング設定用信号)だけは、直接CPUに接続します。

　写真内、上のメモリの14番ピンがRASになります。
　

写真のように、上（反転型）と下（標準型）に同じものを載せます。

　重ねたICチップの上下の足を、半田で接続します。

　ただし、取り付けるチップの足は十分な長さがないので、そのまま半田付けすると、使用中の振動、ゆがみ等で、接触不良になる恐れがあります。

　メモリの足が、時々接触不良になるような場合には、使用中にハング（表示が止まってしまう）など、やっかいな故障を起こします。

　このため、面倒でも細線で接続しています。

　上下の接続が確実にできた後に、RAS線を接続します。

　左から数えて23番目がRAS2（白線）
　左から数えて24番目がRAS3（赤線）

　メモリチップへもRAS線を接続します。

　上側は反転タイプなので、RASの位置も対称になります。

　
　200LXでも同じようになります。（チップの方向は異なります。）

　2010.07.10